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TPD4E1U06DBVR四通道二極管TI(現(xiàn)貨供應(yīng))

2024-04-15 09:08:10

TPD4E1U06DBVR是四通道單向TVS二極管，用于ESD保護(hù)，具有超低電容。滿足IEC 61000-4-2 4級ESD保護(hù)、±15kV擊放電、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)、0.8pF線路電容、6.5V直流擊穿電壓、10nA泄漏電流等特性。適用于USB 2.0、HDMI、MIPI等應(yīng)用。

2.3-2.7GHz S波段射頻功率晶體管Ampleon

2024-04-15 09:03:11

Ampleon的2.3-2.7GHz S波段射頻功率晶體管是一款高性能的產(chǎn)品，專為滿足高功率、高效率和高可靠性的要求而設(shè)計。這款晶體管在無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)和其他S波段應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

CUI三路輸出隔離式DC-DC電源模塊

2024-04-12 09:10:21

CUI多樣化的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品線堪稱行業(yè)翹楚，功率范圍覆蓋0.66至700瓦特，同時提供板上安裝、底架安裝以及DIN導(dǎo)軌套件等多種靈活的安裝方式。我們的隔離式DC-DC模塊在封裝、輸入電壓、輸出電壓以及隔離電壓方面均展現(xiàn)出多樣化的選擇，使其能夠滿足不同領(lǐng)域的應(yīng)用需求，包括電信設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)、電池充電設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品等。

1.4-2.2GHz L/S波段射頻功率晶體管Ampleon

2024-04-12 09:06:56

Ampleon?的 1.4-2.2GHz L/S波段射頻功率晶體管是一款高性能、高可靠性的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。它在無線通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，能夠滿足高功率、高效率和高可靠性的要求。

Infineon英飛凌JANS1N7058CCU3高可靠性肖特基二極管

2024-04-12 09:04:25

JANS1N7058CCU3是高可靠性肖特基二極管，封裝在SMD-0.5陶瓷中，適用于高頻開關(guān)電源和諧振電源轉(zhuǎn)換器。具有密封設(shè)計、中心抽頭結(jié)構(gòu)、低正向壓降、防靜電等級良好等特點。最大整流電流30A，最大反向漏電流0.02mA，最大反向工作電壓150V。符合MIL-PRF-19500測試標(biāo)準(zhǔn)。

AEIC-7272-S16四通道差分線路驅(qū)動器Broadcom

2024-04-12 09:01:16

AEIC-7272-S16是四通道差分線路驅(qū)動器，適用于工業(yè)編碼器、傳感器接口、接近開關(guān)、PLC、光柵和MR傳感器系統(tǒng)。具有獨立邏輯偏置和驅(qū)動器偏置，支持3.5V至30V電源范圍，800KHz工作頻率，CMOS和TTL兼容輸入，三態(tài)輸出，80mA峰值灌/拉電流。內(nèi)部箝位二極管確保在長達(dá)100m的電纜中無故障運行。有分離式電源設(shè)計，可實現(xiàn)高可靠性運行。

0.4-1.0GHz UHF功率晶體管Ampleon

2024-04-11 13:46:27

Ampleon的 0.4-1.0GHz UHF功率晶體管是一款高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管產(chǎn)品。它具有出色的效率和熱性能，能夠確保在各種工作環(huán)境下穩(wěn)定、可靠地運行。對于需要在此頻率范圍內(nèi)進(jìn)行高功率應(yīng)用的場合，如無線通信、廣播電視等，這款晶體管是一個理想的選擇。其高性能和耐用性使得它在各種惡劣的工作環(huán)境中也能表現(xiàn)出色，從而滿足各種應(yīng)用需求。

Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET

2024-04-11 09:25:34

JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、同步整流、配電電路等。產(chǎn)品型號：JANSR2N7626UBN。

FS1703-3300-AS μPOL DC-DC電源模塊TDK

2024-04-11 09:16:38

FS1703-3300-AS μPOL DC-DC電源模塊尺寸小巧，支持3A負(fù)載，4.5V-5.5V輸入范圍，工廠修整3.3V±0.5%初始精度，內(nèi)置多重保護(hù)功能，適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，工作溫度范圍-40°C到+125°C，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，適用于分布式負(fù)載點電源架構(gòu)和通用DC-DC轉(zhuǎn)換。

Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET

2024-04-10 09:53:17

IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、抵御單粒子效應(yīng)能力等特點。廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電力推進(jìn)和電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域，在高輻射環(huán)境下表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。已有更優(yōu)產(chǎn)品JANSR2N7584T1推出。

MAXM15065/MAXM15066/MAXM15067降壓電源模塊Maxim美信

2024-04-10 09:46:48

MAXM15065/MAXM15066/MAXM15067是一系列高效、同步降壓DC-DC模塊，它們集成了控制器、MOSFET、補(bǔ)償元件和電感，并可以在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作。這些模塊具有易于使用、高效率、靈活設(shè)計和穩(wěn)健運行等特點，適用于工業(yè)傳感器、暖通空調(diào)和建筑控制、電池供電設(shè)備、通用負(fù)載點以及USB Type-C供電負(fù)載應(yīng)用等領(lǐng)域。

Renesas瑞薩RL78/G24微控制器MCU

2024-04-10 09:37:52

RENESAS RL78/G24微控制器集成高性能RL78核心CPU，最高48MHz運行頻率，配備豐富外設(shè)資源，完善開發(fā)環(huán)境，廣泛兼容，多種封裝形式?；疽?guī)格包括1.6V至5.5V電壓范圍，64KB/128KB程序閃存，12KB SRAM，工作溫度不超過125°C，以及多種定時器、PWM輸出、模擬功能等特性。

SMP120系列單輸出空間DC-DC電源轉(zhuǎn)換器Interpoint

2024-04-09 09:49:45

Interpoint? SMP120系列?是一款單輸出空間用DC-DC轉(zhuǎn)換器，功率49瓦，輸入80-160V。具有耐輻射設(shè)計、強(qiáng)大的輻射硬度、抗單粒子效應(yīng)、總電離劑量保證等特點。內(nèi)置過壓保護(hù)、EMI濾波器，工作溫度-55°至+125°C。適用于高可靠性、小尺寸、高輻射硬度項目。符合MIL-PRF-385

Murata村田MYMGA5R03ECLA5RA非隔離DC-DC電源模塊

2024-04-09 09:45:50

Murata村田MYMGA5R03ECLA5RA是微型非隔離PoL DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，適用于嵌入式應(yīng)用。輸入電壓8.0V至28.8V，輸出3.3V至5.0V，輸出電流最大4A。具有過流、短路保護(hù)，支持PCIe/服務(wù)器、FPGA、數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域。產(chǎn)品尺寸小巧，高效率和快速響應(yīng)負(fù)載變化。

Infineon英飛凌IRFG110四路N溝道MOSFET

2024-04-09 09:42:25

Infineon英飛凌的IRFG110是一款四路N溝道MOSFET，屬于JANTX2N7334和JANTXV2N7334系列。具有高可靠性、低靜態(tài)電流和良好的散熱能力。采用HEXFET技術(shù)，實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高跨導(dǎo)相結(jié)合。適用于開關(guān)電源、電機(jī)控制等高可靠性應(yīng)用，采用THRU-HOLE封裝，電壓等級為100V，符合軍用標(biāo)準(zhǔn)MIL-PRF-19500/597。

Infineon英飛凌IRF5NJZ48單N溝道功率MOSFET

2024-04-08 09:57:54

IRF5NJZ48是International Rectifier推出的第五代HEXFET功率MOSFET，適用于開關(guān)電源、電機(jī)控制、逆變器等領(lǐng)域。具有低RDS(上)、高雪崩能量、優(yōu)秀動態(tài)dv/dt值等特點。采用55V單N溝道Hi-Rel MOSFET,在SMD-0.5封裝中密封，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。

SLX160A0XY3-SRZ非隔離DC-DC電源模塊ABB（OmniOn power）

2024-04-08 09:39:28

SLX16OAOX3是一款高性能的DLynx? Satellite數(shù)字DC-DC電源模塊，具有廣泛的輸入電壓范圍和可編程輸出電壓。主控模塊采用先進(jìn)的PID控制和多相操作，提供快速瞬態(tài)響應(yīng)和穩(wěn)定性。適用于ASIC、網(wǎng)絡(luò)處理器、FPGA、ARM處理器、電信、服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用，具有豐富功能和易配置特性。

EN5322QI電源模塊Intel

2024-04-08 09:33:58

Intel EN5322QI PowerSoC是一款非隔離式PoL模塊，輸入電壓范圍2.4V至5.5V，輸出電壓范圍0.8V至3.3V(可變)以及0.6V(XFB相關(guān))。支持VID電壓輸出設(shè)置，最大輸出電流2A，在商業(yè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。具有遠(yuǎn)程開/關(guān)功能、過流保護(hù)、超溫保護(hù)、短路保護(hù)和低電壓鎖定保護(hù)等特性。

Solitron 2N3957/2N3958小信號JFET

2024-04-07 10:02:28

Solitron 2N3957/2N3958小信號JFET是一種雙通道N型溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)。它們被設(shè)計為具有高輸入阻抗，特別適用于中到高頻的高輸入阻抗應(yīng)用。其典型噪聲為6nV/Hz，并具有低CIS(柵源電容)，典型值為3.5pF。這些元件被用作其他2N3957和8個部件的替代品。

Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1模塊

2024-04-07 09:38:34

Infineon英飛凌?FF23MR12W1M1PB11BPSA1是一款EasyDUAL模塊，它采用了Infineon公司的CoolSiCTM技術(shù)的Trench MOSFET，并且結(jié)合了PressFIT/NTC/TIM技術(shù)。這款模塊具有一系列預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)，其中Vds(最大漏源電壓)為1200V，ID nom(標(biāo)稱電流)為50A，最大電流Imax可達(dá)100A。