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IRHNS7460SE單N溝道MOSFET是一種抗輻射的單通道、N溝道MOSFET，可承受高達(dá)500V和12A的電流。它采用了SupIR-SMD封裝，并具有單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、超低RDS(on)、總打壓電荷低、簡單驅(qū)動要求、輕巧、表面安裝和符合 MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)方法1020的3B級ESD等級等特點(diǎn)。它的TID等級為100krad，篩選級別為JANS當(dāng)量(QIRL)。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等潛在應(yīng)用。

Part Number	Radiation Level	RDS(on）	l
IRHNS7460SE	100 kRads (Si）	0.322	20A

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IRHNS7460SE單N溝道MOSFET