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1200 V, 40 A IGBT,采用反并聯(lián)二極管,TO-247 封裝
1200 V、40 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT4,采用續(xù)流二極管在 TO247 中封裝,由于結合了溝槽單元和場終止概念,顯著提高了靜態(tài)和動態(tài)性能。IGBT 和軟恢復發(fā)射極控制二極管的結合進一步降低了開通損耗。由于開關和傳導損耗間可實現折衷,因此可實現高效率。
特征描述
更低的傳導損耗實現較低的 VCEsat 壓降
低開關損耗
由于 VCEsat 中的正溫度系數,因此易于進行平行開關
非常軟且快速恢復的反平行發(fā)射極控制二極管
具有高魯棒性、溫度穩(wěn)定的行為
低電磁干擾輻射
低柵極電荷
非常嚴格的參數分配
優(yōu)勢
高效率 - 得益于低導通和低開關損耗
600 V 和 1200 V 的全面產品組合可實現設計的高靈活性
器件可靠性高
參數:
Parametrics | IKW40N120T2 |
---|---|
Eoff (Hard Switching) | 3.8 mJ |
Eon | 4.5 mJ |
IC (@ 25°) max | 75 A |
IC (@ 100°) max | 40 A |
ICpuls max | 160 A |
IF max | 75 A |
IFpuls max | 160 A |
Irrm | 31 A |
Ptot max | 480 W |
Package | TO-247-3 |
QGate | 192 nC |
Qrr | 3300 nC |
RG | 12 ? |
RGint | - |
Switching Frequency | TRENCHSTOP?2 2-20 kHz |
Switching Frequency min max | 2 kHz 20 kHz |
Technology | IGBT TRENCHSTOP? 2 |
VCE(sat) | 2.3 V |
VCE max | 1200 V |
VF | 1.75 V |
td(off) | 405 ns |
td(on) | 32 ns |
tf | 195 ns |
tr | 28 ns |