Lattice LAXP2-5E-5QN208E現(xiàn)場可編程門陣列FPGA
發(fā)布時間:2024-06-24 09:38:40 瀏覽:209
Lattice LAXP2-5E-5QN208E 是一款高性能的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),由Lattice 公司生產(chǎn),屬于LatticeXP2系列。這款FPGA采用了flexiFLASH架構(gòu),結(jié)合了基于查找表(LUT)的FPGA結(jié)構(gòu)與非易失性閃存單元,提供了即時啟動、無限可重配置性、片上存儲和設(shè)計安全性等優(yōu)勢。
主要技術(shù)規(guī)格和特性:
- 封裝類型: 采用QFP(四側(cè)扁平封裝)中的PQFP系列,引腳數(shù)為208個。
- 工作電源電壓: 范圍為1.14V至1.26V,標準工作電壓為1.2V。
- I/O規(guī)格: 提供146個用戶I/O,支持最大57個差分I/O對,I/O電壓可以是1.2V、1.5V、3.3V或2.5V。
- 邏輯資源: 擁有5000個邏輯元件(器件邏輯單元),并具備12個乘法器(18x18)。
- 嵌入式存儲器: 包含166Kbit的嵌入式存儲器。
- 時鐘和PLL: 支持全球時鐘,并且具有DLL/PLL設(shè)備。
- 可編程性: 支持可重編程性,并且可以在系統(tǒng)中進行編程。
- 溫度范圍: 最低運行溫度為-40℃,最高運行溫度為125℃。
- 汽車應(yīng)用: 適用于汽車應(yīng)用。
- 其他特性: 支持PPAP協(xié)議,并且是RoHS合規(guī)的。
flexiFLASH架構(gòu)特點:
- 靈活的I/O緩沖器: 支持多種I/O標準。
- flashBAK技術(shù): 提供可靠的嵌入式塊存儲器。
- Serial TAG存儲器: 用于額外的存儲需求。
- 無限可重配置性: 允許在運行時更改FPGA的配置。
- 支持多種接口: 包括DDR/DDR2接口、7:1 LVDS接口、XGMII接口等。
- 設(shè)計安全性: 提供128位AES加密的安全更新功能。
- 嵌入式和分布式存儲器: 提供高達276 kbit的系統(tǒng)存儲器和高達35 kbit的分布式RAM。
- 靈活的設(shè)備配置: 每個塊支持不同的乘法器配置。
- 系統(tǒng)級支持: 符合IEEE 1149.1和IEEE 1532標準,支持多達四個模擬PLLs。
型號:
Part Number | Voltage | Grade | Package | Pins | Temp | LUTs(k |
LAXP2-5E-5MN132E | 1.2V | -5 | Lead-Free csBGA | 132 | AUTO | 5 |
LAXP2-5E-5TN144E | 1.2V | -5 | Lead-Free TOFP | 144 | AUTO | 5 |
LAXP2-5E-5ON208E | 1.2V | 5 | Lead-Free POFP | 208 | AUTO | 5 |
LAXP2-5E-5FTN256E | 1.2V | -5 | Lead-Free ftBGA | 256 | AUTO | 5 |
LAXP2-8E-5MN132E | 1.2V | -5 | Lead-Free csBGA | 132 | AUTO | 8 |
LAXP2-8E-5TN144E | 1.2V | -5 | Lead-Free TOFP | 144 | AUTO | 8 |
LAXP2-8E-5QN208E | 1.2V | 5 | Lead-Free POFP | 208 | AUTO | 8 |
LAXP2-8E-5FTN256E | 1.2V | -5 | Lead-Free ftBGA | 256 | AUTO | 8 |
LAXP2-17E-5ON208E | 1.2V | -5 | Lead-Free POEP | 208 | AUTO | 17 |
LAXP2-17E-5FTN256E | 1.2V | -5 | Lead-Free ftBGA | 256 | AUTO | 17 |
此外,LatticeXP2系列FPGA還支持Live Update技術(shù)、TransFR技術(shù)和Dual-boot技術(shù),增加了系統(tǒng)的靈活性和可升級性。通過使用Lattice的Diamond設(shè)計軟件,設(shè)計人員可以高效地在LatticeXP2 FPGA上實現(xiàn)大型和復(fù)雜的設(shè)計。Lattice還提供了許多預(yù)設(shè)計的IP(LatticeCORETM)模塊,可以幫助設(shè)計師集中精力關(guān)注設(shè)計的獨特方面,從而提高生產(chǎn)力。
推薦資訊
ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器,電壓3kV至250kV DC,電容最大2.000 μf,公差±10%,絕緣電阻25-50k ΩF,耗散因數(shù)<0.6%,多種外殼材料,操作溫度-55°C至125°C,符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標準。
VCXO即壓控晶體振蕩器,是利用增加外界控制電壓使振蕩頻率可變性或是能夠調(diào)制的石英晶體振蕩器。在常見的VCXO中,通常情況下是利用調(diào)諧電壓調(diào)整變?nèi)荻O管的電容量來“帶動”石英晶體振子頻率的。VCXO允許頻率控制范圍相對比較寬,實際的帶動度范圍約為±200ppm甚至是更大。
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