Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P溝道JFET
發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 09:31:52 瀏覽:264
2N5114/2N5115/2N5116是P溝道JFET晶體管,在應(yīng)用中具有以下特點(diǎn)和規(guī)格:
- 封裝:T0-18
- 最大反向柵極源極電壓(Vgss):30V
- 最大柵極電流(Igs):-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)
- 漏源電阻(RDS(on)):75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)
- 符合JAN/JANTX/JANTXV標(biāo)準(zhǔn)
- 符合MIL-PRF-19500/476F標(biāo)準(zhǔn)
- 低導(dǎo)通電阻
- 可直接從TTL邏輯或CMOS切換
- 高關(guān)斷隔離
- 提供S級(jí)等效篩選選項(xiàng)
- 重量輕
- MicroSemi的第二來源
規(guī)格參數(shù):
Part Number Package 19500/ Breakdown Voltage Current R 150N | |||||||||
2N5114 | TO-18 | 476 | 30V | -90mA | 75Ω | ||||
2N5115 | TO-18 | 476 | 30V | -60mA | 1002 | ||||
2N5116 | TO-18 | 476 | 30V | 25mA | 175g | ||||
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS | |||||||||
Gate-Source Voltage | 30V | Storage Temperature | 65 to 200℃ | ||||||
Gate Current | 50mA | Operating Junction Temperature | -65 to 200℃ | ||||||
Lead Temperature 1/16 from case,10 sec | 300℃ | Power Dissipation Derating | 500mM 3mW°C@T=25℃ |
訂購信息:
JAN2N5115 | JANTX2N5115 | JANTXV2N5115 | ||||||
JAN2N5116 | JANTX2N5116 | JANTXV2N5116 |
這些晶體管適用于需要反相開關(guān)或“虛擬接地”開關(guān)進(jìn)入運(yùn)算放大器的反相輸入的場(chǎng)合,可處理±10VAC信號(hào),無需驅(qū)動(dòng)器,僅需+5V邏輯(TTL或CMOS)。在工作時(shí)請(qǐng)注意絕對(duì)最大額定值,如柵極-源極電壓、存儲(chǔ)溫度、柵極電流、工作結(jié)溫、引線溫度、功耗。
推薦資訊
TI德州儀器?TPSM843B22是款高效率18V、20A同步降壓模塊,選用內(nèi)部補(bǔ)償?shù)亩l高級(jí)電流模式(ACM)控制架構(gòu),能夠在處在FCCM模式長時(shí)間運(yùn)營的同時(shí),形成0.5V至7V的輸出電壓。
英飛凌高功率 MOSFET 精選產(chǎn)品組合提供簡(jiǎn)單且具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案,這些解決方案應(yīng)用廣泛并且質(zhì)量可靠。通用高功率MOSFET產(chǎn)品組合涵蓋 500 V 至 900 V 的電壓等級(jí)以及 RDS(on) 值在 180 m? 到 3400 m? 之間的多種型號(hào)器件,產(chǎn)品組合支持 10 余種不同封裝,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引線)等多種類型。
在線留言
含山县| 大理市| 余庆县| 贵南县| 株洲县| 灵丘县| 绥江县| 搜索| 开阳县| 佳木斯市| 固镇县| 玛多县| 新安县| 新营市| 泗水县| 南江县| 汽车| 白山市| 长沙县| 新竹市| 安国市| 淮南市| 会昌县| 邹城市| 齐河县| 金沙县| 江达县| 贵阳市| 江津市| 大英县| 深圳市| 余江县| 尼勒克县| 乡宁县| 天柱县| 应城市| 陵川县| 中西区| 错那县| 南昌市| 城固县|